Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1 M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 3 V bis 3,6 V, TSOP II 54-Pin
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: CY7C10612G30-10ZSXI
21,63 €
25,74 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Produktdetails
- Artikeltyp
- SRAM
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 193-8470
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059045316220
Technische Daten
- Abmessungen
- 22.313 x 10.058 x 0.95mm
- Adressbusbreite
- 16bit
- Anzahl der Bits pro Wort
- 16bit
- Anzahl der Wörter
- 1 M
- Arbeitsspannnung max.
- 3,6 V
- Breite
- 10.06mm
- Gehäusegröße
- TSOP II
- Low Power
- Ja
- Montage-Typ
- SMD
- Organisation
- 1 MB x 16 bit
Produktbeschreibung
Speicher Größe = 16MBit
Organisation = 1 MB x 16 bit
Anzahl der Wörter = 1 M
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Adressbusbreite = 16bit
Taktfrequenz = 100MHz
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP II
Pinanzahl = 54
Abmessungen = 22.313 x 10.058 x 0.95mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Breite = 10.06mm
Hohe Geschwindigkeit tAA = 10 ns Integrierter Fehlerkorrekturcode (ECC) für Einzelbit-Fehlerkorrektur Niedrige Wirkleistung ICC = 90 mA typisch Geringe CMOS-Standby-Leistung ISB2 = 20 mA (typisch) Betriebsspannungen von 3,3 ± 0,3 V 1,0 V Datenspeicherung Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL) ERR-Stift zur Anzeige der 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur Erhältlich in Pb-freiem 54-poligem TSOP II-Gehäuse