Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1 M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 3 V bis 3,6 V, TSOP II 54-Pin
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: CY7C10612G30-10ZSXI
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Produktdetails
- Artikeltyp
- SRAM
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 193-8470P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059045309888
Technische Daten
- Abmessungen
- 22.313 x 10.058 x 0.95mm
- Adressbusbreite
- 16bit
- Anzahl der Bits pro Wort
- 16bit
- Anzahl der Wörter
- 1 M
- Arbeitsspannnung max.
- 3,6 V
- Breite
- 10.06mm
- Gehäusegröße
- TSOP II
- Low Power
- Ja
- Montage-Typ
- SMD
- Organisation
- 1 MB x 16 bit
Produktbeschreibung
Speicher Größe = 16MBit
Organisation = 1 MB x 16 bit
Anzahl der Wörter = 1 M
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Adressbusbreite = 16bit
Taktfrequenz = 100MHz
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP II
Pinanzahl = 54
Abmessungen = 22.313 x 10.058 x 0.95mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Breite = 10.06mm