Infineon HEXFET IRF7507TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,7 A; 2,4 A 1,25 W, 8-Pin MSOP
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IRF7507TRPBF
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 301-186P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059043728445
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N, P
- Dauer-Drainstrom max.
- 1,7 A; 2,4 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 20 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 140 mΩ, 270 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 5,3 nC @ 4,5 V, 5,4 nC @ 4,5 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 0.7V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 0.7V
- Gate-Source Spannung max.
- -12 V, +12 V
- Gehäusegröße
- MSOP
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 1,7 A; 2,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = MSOP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ, 270 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.7V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 1,25 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 5,3 nC @ 4,5 V, 5,4 nC @ 4,5 V
Serie = HEXFET
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon. Die Zweifach-Leistungs-MOSFETs von Infineon integrieren zwei HEXFET®-Bauelemente für platzsparende, kostengünstige Schaltlösungen bei hoher Bauteildichte für Anwendungen mit beschränktem Platinenplatz. Verschiedene Optionen stehen zur Verfügung, und Designer können die Zweifach-N/P-Kanal-Konfiguration wählen.