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Infineon HEXFET IRFB4227PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFB4227PBF

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
650-4277P
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059043965178

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
65 A
Drain-Source-Spannung max.
200 V
Drain-Source-Widerstand max.
24 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
70 nC @ 10 V
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Schwellenspannung min.
3V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 65 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 24 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 330 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 70 nC @ 10 V
Serie = HEXFET

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon. Motorsteuerungs-MOSFET. Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung. Synchrongleichrichter-MOSFET. Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.