Infineon HEXFET IRFP2907PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 209 A 470 W, 3-Pin TO-247AC
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IRFP2907PBF
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 543-1500P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059043993362
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 209 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 75 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 5 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 410 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-247AC
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 209 A
Drain-Source-Spannung max. = 75 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 470 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 410 nC @ 10 V
Serie = HEXFET
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.