Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 600 V 333 W, 3-Pin TO-247
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IKW50N60TFKSA1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 754-5409
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059043084527
Technische Daten
- Abmessungen
- 16.03 x 21.1 x 5.16mm
- Betriebstemperatur min.
- -40 °C
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 100 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 600 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
- Verlustleistung max.
- 333 W
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 333 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.03 x 21.1 x 5.16mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode. Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V Sehr geringer VCEsat Niedrige Abschaltverluste Kurzer Deaktivierungsstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur 175°C