Infineon IGBT / 80 A ±20.0V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: AIKW50N65RF5XKSA1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 228-6510
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 80 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20.0V
- Gehäusegröße
- PG-TO247-3
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 650 V
- Pinanzahl
- 3
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
- Verlustleistung max.
- 250 W
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20.0V
Verlustleistung max. = 250 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Der Infineon AIKW50N65RF5 ist ein hybrider Leistungs-diskret mit SiC-Stromversorgungstechnologie mit bester Kosteneffizienz und ist der wichtigste Aspekt für Hilfsanwendungen in Elektrofahrzeugen und Hybridfahrzeugen. Der Hybrid aus 650-V-Trenchstop 5 AUTO-IGBT mit schneller Schaltung und CoolSiC Schottky-Diode für eine kostengünstige Leistungssteigerung für schnell schaltende Kfz-Anwendungen wie Onboard-Ladegerät, PFC, DC/DC und DC/AC.Schneller Trenchstop 5-IGBT mit Schaltgeschwindigkeit Erstklassige Effizienz in harten Schalt- und Resonanztopologien QG mit niedriger Gate-Ladung Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.