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Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 11-Pin ECONODUAL N-Kanal

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: FF600R12ME4B72BOSA1

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Produktdetails

Artikeltyp
IGBT
Lieferanten Artikel-Nr.
218-4341
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
600 A
Gate-Source Spannung max.
20V
Gehäusegröße
ECONODUAL
Kollektor-Emitter-Spannung
1200 V
Pinanzahl
11
Transistor-Konfiguration
Dual
Verlustleistung max.
20 mW

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = ECONODUAL
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 11
Transistor-Konfiguration = Dual