STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 469 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal

Name: STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 469 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 829-7136
Price: 6.45 EUR
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Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STGWT80H65DFB

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Produktdetails

Artikeltyp: IGBT
Lieferanten Artikel-Nr.: 829-7136
Gewicht: 1 g
Zustand: Neu
GTIN: 5059042700848

Technische Daten

Abmessungen: 15.8 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur min.: -55 °C
Channel-Typ: N
Dauer-Kollektorstrom max.: 120 A
Gate-Source Spannung max.: ±20V
Gehäusegröße: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung: 650 V
Montage-Typ: THT
Pinanzahl: 3
Schaltgeschwindigkeit: 1MHz

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 469 W
Gehäusegröße = TO-3P
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

IGBT, diskret, STMicroelectronics