STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STW12NK80Z N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-247
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STW12NK80Z
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 486-3085P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059042890143
Technische Daten
- Breite
- 5.15mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 10,5 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 800 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 750 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-247
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 750 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.15mm
Höhe = 20.15mm
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics