Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP
Marca: INFINEON
Núm. de artículo del fabricante: IPA65R045C7XKSA1
Datos técnicos
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 18 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 45 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- CoolMOS™ C7
Descripción del producto
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ C7
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
4,52 €
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Tiempo de entrega aprox. 2 díasCondición: Nuevo
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Kennzeichnungen
- Tipo de artículo
- MOSFET
- Núm. de artículo del proveedor
- 222-4883