Ugrás a fő tartalomra

Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A, 3-Pin TO-247

INFINEON logó

Márka: INFINEON

Gyártó cikkszáma: IMW65R072M1HXKSA1

Műszaki adatok

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
26 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
0,094 Ω
Gate-Schwellenspannung max.
5.7V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Serie
CoolSiC

Termékleírás

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 26 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolSiC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,094 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

3,34 EUR

3,97 EUR ÁFA-val együtt, plusz szállítási költség

Szállítási idő körülbelül 2 napÁllapot: Új
Maximum 227 elérhető

Kennzeichnungen

Terméktípus
MOSFET
Kereskedő SKU
232-0395