Infineon IGBT-Modul / 400 A 20V max. Dual, 1700 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal

Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = 62 mm
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 7
Transistor-Konfiguration = Dual

Das Infineon Halbbrücken-IGBT-Modul mit schnellem Trenchstop IGBT4 und Emitter-gesteuerter Diode. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1700 V und einen Kollektorstrom von 400 A. Er wird hauptsächlich in Motorsteuerungen und Antrieben, USV-Systemen und Stromwandlern und Wechselrichtern von Windenergieanlagen eingesetzt.Höchste Leistungsdichte Flexibilität Optimale elektrische Leistung Hohe Kriechstrecke und Sicherheitsabstände Höchste Zuverlässigkeit