Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A 99 W, 3-Pin TO-220AB

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = StrongIRFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.2V
Verlustleistung max. = 99 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 10.67mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon. Die Infineon- StrongIRFET -Familie ist optimiert für geringe R ;sub>DS ;/sub>(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.