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Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 208 W, 3-Pin TO-247

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Marca: INFINEON

Codice produttore.: SPW20N60C3FKSA1

Dati tecnici

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
21 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
190 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
87 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
3.9V
Gate-Schwellenspannung min.
2.1V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Höhe
20.95mm

Descrizione del prodotto

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ C3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 208 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 87 nC @ 10 Vmm
Höhe = 20.95mm

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3

5,66 €

6,74 € IVA inclusa più costi di spedizione

Tempo di consegna di circa 2 giorniCondizione: Nuovo
Numero massimo di 70 disponibili

Kennzeichnungen

Tipo di prodotto
MOSFET
SKU rivenditore
462-3449P
GTIN
5059043993898