Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 53 A, 4-Pin TO-247-4
Marca: INFINEON
Codice produttore.: IMZA65R030M1HXKSA1
Dati tecnici
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 53 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,042 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.7V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
- Serie
- CoolSiC
Descrizione del prodotto
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 53 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolSiC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,042 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
11,75 €
13,98 € IVA inclusa più costi di spedizione
Tempo di consegna di circa 2 giorniCondizione: Nuovo
Numero massimo di 160 disponibili
Kennzeichnungen
- Tipo di prodotto
- MOSFET
- SKU rivenditore
- 232-0403