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Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 59 A, 4-Pin TO-247-4

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Marca: INFINEON

Codice produttore.: IMZA65R027M1HXKSA1

Dati tecnici

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
59 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
0,034 Ω
Gate-Schwellenspannung max.
5.7V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
4
Serie
CoolSiC

Descrizione del prodotto

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 59 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolSiC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,034 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

13,46 €

16,02 € IVA inclusa più costi di spedizione

Tempo di consegna di circa 2 giorniCondizione: Nuovo
Numero massimo di 113 disponibili

Kennzeichnungen

Tipo di prodotto
MOSFET
SKU rivenditore
232-0401