Infineon 600V CoolMOS™ C7 IPW60R017C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 109 A, 3-Pin TO-247
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IPW60R017C7XKSA1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 218-3085
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 109 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,017 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- 600V CoolMOS™ C7
- Transistor-Werkstoff
- Si
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 109 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,017 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = 600V CoolMOS™ C7
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600 V CoolMOS. Der CoolMOS TM C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde.Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und Hochleistungs-LLC) Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit bis 120 V/ns Erhöhte Schaltfrequenz