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Infineon CoolMOS C3 SPP11N80C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-220

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: SPP11N80C3XKSA1

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
753-3190
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059043798004

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
11 A
Drain-Source-Spannung max.
800 V
Drain-Source-Widerstand max.
450 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
64 nC @ 10 V
Gate-Schwellenspannung max.
3.9V
Gate-Schwellenspannung min.
2.1V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-220

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 450 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 156 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 64 nC @ 10 V
Höhe = 9.45mm

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3