Infineon CoolMOS C6 IPA60R190C6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 151 W, 3-Pin TO-220 FP
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IPA60R190C6XKSA1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 753-2992P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059043799735
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 20 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 190 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 63 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220 FP
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 151 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 63 nC @ 10 V
Höhe = 9.45mm
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7