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Infineon CoolMOS CFD IPW65R080CFDAFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 43,3 A 391 W, 3-Pin TO-247

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPW65R080CFDAFKSA1

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
898-6927
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059043853987

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
43,3 A
Drain-Source-Spannung max.
700 V
Drain-Source-Widerstand max.
80 mΩ
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 43,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 80 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 391 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS CFD

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon