Infineon CoolMOS CFD IPW65R080CFDAFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 43,3 A 391 W, 3-Pin TO-247
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IPW65R080CFDAFKSA1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 898-6927P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059043747514
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 43,3 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 700 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 80 mΩ
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 43,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 80 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 391 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS CFD
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon