Infineon CoolMOS P6 IPP60R099P6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37,9 A 278 W, 3-Pin TO-220
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IPP60R099P6XKSA1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 130-0924
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059043046075
Technische Daten
- Breite
- 4.57mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 37,9 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 99 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-220
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 37,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 99 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 278 W
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.57mm
Höhe = 15.95mm
Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6. MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS ;sup>™ ;/sup> E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden.