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Infineon FF6MR FF6MR12KM1BOSA1 N-Kanal, Schraub MOSFET 1200 V / 250 A AG-62MM

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: FF6MR12KM1BOSA1

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
222-4796
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
250 A
Drain-Source-Spannung max.
1200 V
Drain-Source-Widerstand max.
5,81 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
3.45V
Gehäusegröße
AG-62MM
Montage-Typ
Schraubmontage
Serie
FF6MR

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 250 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = AG-62MM
Montage-Typ = Schraubmontage
Drain-Source-Widerstand max. = 5,81 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.45V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = FF6MR

Das Infineon Halbbrückenmodul mit 62 mm, 1200 V, 6 mΩ und Cool Sic TM MOSFET.Hohe Stromdichte Niedrige Schaltverluste Überlegene Toroxid-Zuverlässigkeit Höchste Robustheit gegen Feuchtigkeit Robuste integrierte Gehäusediode und damit optimale thermische Bedingungen