Infineon HEXFET AUIRFB4410 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 88 A 200 W, 3-Pin TO-220AB
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: AUIRFB4410
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 760-4306P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059043972411
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 88 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 10 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 120 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220AB
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 88 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 200 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 120 nC @ 10 V
Serie = HEXFET
Kfz-N-Kanal-MOSFET, Infineon. Das umfassende Portfolio an AECQ-101-zugelassenen Einfach-Matrizen-N-Kanal-Geräten für die Automobilindustrie von Infineon entspricht einer Vielzahl von Anforderungen an die Stromversorgung in vielen Anwendungen. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.