Infineon HEXFET IRF5305PBF P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-220AB
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IRF5305PBF
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 541-1736
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059043944036
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- P
- Dauer-Drainstrom max.
- 31 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 55 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 60 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 63 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220AB
Produktbeschreibung
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 31 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 63 nC @ 10 V
Serie = HEXFET
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.