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Infineon HEXFET IRFP4004PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 350 A 380 W, 3-Pin TO-247AC

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFP4004PBF

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
688-6986P
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059045587347

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
350 A
Drain-Source-Spannung max.
40 V
Drain-Source-Widerstand max.
2 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
220 nC @ 10 V
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-247AC

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 350 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 380 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 220 nC @ 10 V
Serie = HEXFET

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.