Infineon HEXFET IRFU120NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9,4 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IRFU120NPBF
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 541-1613
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059045876236
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 9,4 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 210 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 25 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- IPAK (TO-251)
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 210 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 48 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 25 nC @ 10 V
Serie = HEXFET
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.