Infineon IGBT / 35 A 20V max., 1200 V 20 mW AG-EASY2B. N-Kanal
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: FP35R12W2T7B11BOMA1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 222-4800
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 35 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Gehäusegröße
- AG-EASY2B.
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Transistor-Konfiguration
- Single & Common Emitter
- Verlustleistung max.
- 20 mW
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 35 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = AG-EASY2B.
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter
Das Infineon EasyPIM TM 2B 1200 V, 35 A dreiphasiger Eingangsgleichrichter-PIM (Power Integrated Modules) IGBT-Modul mit Trenchstop ® IGBT7, Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC- und Pressfit-Kontakttechnologie.Geringe VCEsat Trenchstop ® IGBT7 Überlastbetrieb bis zu 175 °C. 2,5 kV AC, 1 min Isolierung Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand Hohe Leistungsdichte Kompaktes Design Presssitz-Kontakttechnologie