Infineon IGBT / 50 A ±20V max., 1200 V 326 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IGW25N120H3FKSA1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 826-8232
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059043149301
Technische Daten
- Abmessungen
- 16.13 x 5.21 x 21.1mm
- Betriebstemperatur min.
- -40 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 50 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Schaltgeschwindigkeit
- 1MHz
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 326 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C
TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit. Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V Sehr geringer VCEsat Geringe Abschaltverluste Kurzer Endstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C