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Infineon IGBT / 75 A ±20V max., 600 V 390 W, 3-Pin TO-247AC N-Kanal

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: AUIRGP50B60PD1

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Produktdetails

Artikeltyp
IGBT
Lieferanten Artikel-Nr.
737-7546P
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059043414256

Technische Daten

Abmessungen
15.87 x 5.31 x 20.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
75 A
Gate-Source Spannung max.
±20V
Gehäusegröße
TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung
600 V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Schaltgeschwindigkeit
150kHz

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 390 W
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 150kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.87 x 5.31 x 20.7mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

Co-Pack-IGBT über 21 A, Infineon. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Isolated Gate Bipolar Transistor, IGBT) von Infineon bieten dem Benutzer eine umfassende Auswahl von Optionen, um sicherzustellen, dass Ihre Anwendung durchgeführt werden kann. Durch ihren hohen Wirkungsgrad können diese IGBT in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden und können dank niedriger Schaltverluste verschiedene Schaltfrequenzen unterstützen. IGBT verbaut mit antiparallel geschalteter Diode mit ultraschneller Wiederherstellung für den Einsatz in Brückenkonfigurationen