Infineon IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 274 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IKW50N65ES5XKSA1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 133-9879
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059043702247
Technische Daten
- Abmessungen
- 16.13 x 5.21 x 21.1mm
- Betriebstemperatur min.
- –40 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 80 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 650 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Schaltgeschwindigkeit
- 30kHz
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 274 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 30kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode. Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V Sehr geringer VCEsat Niedrige Abschaltverluste Kurzer Deaktivierungsstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur 175°C