Infineon IGBT / 900 A 20V max., 1200 V 20 mW AG-ECONOD N-Kanal
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: FF900R12ME7B11BOSA1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 222-4798
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 900 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Gehäusegröße
- AG-ECONOD
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Transistor-Konfiguration
- Single & Common Emitter
- Verlustleistung max.
- 20 mW
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = AG-ECONOD
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter
Das Infineon EconoDUAL TM 3 1200 V, 900 A zweifache Trenchstop ® IGBT7-Modul mit Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC und Pressfit-Kontakttechnologie. Auch erhältlich mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien.Höchste Leistungsdichte Best-in-Class-VCE-Sat TVJ op = 175 °C Überlast Verbesserte Anschlussklemmen Optimierte Kriechstrecke für 1500-V-PV-Anwendungen