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Infineon IMBG65R022M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 64 A, 7-Pin TO-263-7

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IMBG65R022M1HXTMA1

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
248-9311P
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
64 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Gehäusegröße
TO-263-7
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
7

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 64 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Anzahl der Elemente pro Chip = 1