Infineon IMBG65R083M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 28 A, 7-Pin TO-263-7
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IMBG65R083M1HXTMA1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 248-9323P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 28 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Gehäusegröße
- TO-263-7
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 28 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Anzahl der Elemente pro Chip = 1