Infineon IMW1 IMW120R045M1XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 52 A, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 52 A
Drain-Source-Spannung max. = 1700 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = IMW1

Der Infineon CoolSiC TM 1200 V, 45 mΩ SiC MOSFET im TO247-3-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladung- und Gerätekapazitätswerte, die in 1200-V-Schaltern zu sehen sind, keine Rückgewinnungsverluste der internen, kommutierungssicheren Gehäusediode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Einschaltstatuscharakteristik. CoolSiC-MOSFETs sind ideal für hart- und resonante Schalttopologien wie Leistungsfaktorkorrektur-Schaltungen (PFC), bidirektionale Topologien und DC/DC-Wandler oder DC/AC-Wechselrichter.Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V. 0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung Temperaturunabhängige Abschaltverluste