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Infineon IMW1 IMW120R060M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 36 A, 3-Pin TO-247

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IMW120R060M1HXKSA1

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
222-4856
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
36 A
Drain-Source-Spannung max.
1200 V
Drain-Source-Widerstand max.
60 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4.5V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 36 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = IMW1