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Infineon IMW120R007M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 225 A, 3-Pin TO-247

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IMW120R007M1HXKSA1

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
248-6665
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
225 A
Drain-Source-Spannung max.
1200 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 225 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1