Infineon OptiMOS 3 IPB017N06N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK-7
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IPB017N06N3GATMA1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 754-5412
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059043256696
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 180 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 60 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,7 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 206 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- D2PAK-7
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 180 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = D2PAK-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 1,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 206 nC @ 10 V
Serie = OptiMOS 3
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V. optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS Optimierte Technik für DC/DC-Wandler Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen N-Kanal, Logikebene Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM) Sehr geringer Widerstand R DS(ON) Pb-frei Beschichtung