Infineon OptiMOS 3 IPB025N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

Name: Infineon OptiMOS 3 IPB025N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7
Brand: INFINEON
SKU: 754-5421
Price: 6.19 EUR
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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB025N10N3GATMA1

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Produktdetails

Artikeltyp: MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.: 754-5421
Gewicht: 1 g
Zustand: Neu
GTIN: 5059043260396

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °C
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 180 A
Drain-Source-Spannung max.: 100 V
Drain-Source-Widerstand max.: 4,4 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: D2PAK-7

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 180 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = D2PAK-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 4,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = -55 °C

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr