Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

Name: Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
Brand: INFINEON
SKU: 354-5708
Price: 1.36 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSP135H6327XTSA1

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Produktdetails

Artikeltyp: MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.: 354-5708
Gewicht: 1 g
Zustand: Neu
GTIN: 5059043706979

Technische Daten

Betriebstemperatur max.: +150 °C
Channel-Modus: Depletion
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 120 mA
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Drain-Source-Widerstand max.: 60 Ω
Gate-Schwellenspannung max.: 1V
Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: SOT-223

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 mA
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 60 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1.6mm

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®