Infineon SIPMOS BSP149H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

Name: Infineon SIPMOS BSP149H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
Brand: INFINEON
SKU: 354-5720
Price: 1.29 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSP149H6327XTSA1

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Produktdetails

Artikeltyp: MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.: 354-5720
Gewicht: 1 g
Zustand: Neu
GTIN: 5059043888538

Technische Daten

Channel-Modus: Depletion
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 660 mA
Drain-Source-Spannung max.: 200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 1,8 Ω
Gate-Schwellenspannung max.: 1V
Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: SOT-223
Montage-Typ: SMD

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 660 mA
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,8 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = SIPMOS

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®