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Infineon StrongIRFET IRFB7430PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 195 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFB7430PBF

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
776-9172
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059043298863

Technische Daten

Betriebstemperatur max.
+175 °C
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
195 A
Drain-Source-Spannung max.
40 V
Drain-Source-Widerstand max.
1,3 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
3.9V
Gate-Schwellenspannung min.
2.2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 195 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.2V
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Serie = StrongIRFET

Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon. Die Infineon- StrongIRFET -Familie ist optimiert für geringe R ;sub>DS ;/sub>(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.