IXYS HiperFET IXFN110N85X N-Kanal, Schraub MOSFET 850 V / 110 A 1,17 kW, 4-Pin SOT-227
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFN110N85X
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 146-4396
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041643306
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °C
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 110 A
- Diodendurchschlagsspannung
- 1.4V
- Drain-Source-Spannung max.
- 850 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 33 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3.5V
- Gate-Source Spannung max.
- ±30 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 850 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 33 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 1,17 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.4V