IXYS HiperFET IXFN150N65X2 N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 145 A 1,04 kW, 4-Pin SOT-227
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFN150N65X2
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 146-4398
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041722728
Technische Daten
- Breite
- 25.07mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 145 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 17 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3.5V
- Gate-Source Spannung max.
- ±30 V
- Gehäusegröße
- SOT-227
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 145 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 17 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 1,04 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 25.07mm
Höhe = 9.6mm
Niedriger RDS(ON) und Qg Fast-Body-Diode dv/dt Robustheit Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Gehäuseinduktivität Gehäuse nach internationaler Norm Resonanznetzteile Starter für HID-Lampe (High Intensity Discharge) AC- und DC-Motorantriebe DC/DC-Konverter Robotik und Servosteuerung Akkuladegeräte 3-stufige Solarwechselrichter LED-Beleuchtung Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs) Höhere Effizienz Hohe Leistungsdichte Einfache Montage Platzersparnis