IXYS HiperFET IXFN36N100 N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 36 A 700 W, 4-Pin SOT-227
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFN36N100
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 193-795
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041195195
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 36 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1000 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 240 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 380 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- SOT-227
- Höhe
- 9.6mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 36 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 240 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 700 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 380 nC @ 10 V
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS-Serie HiperFET™