IXYS HiperFET IXFN90N85X N-Kanal, Schraub MOSFET 850 V / 90 A 1,2 kW, 4-Pin SOT-227
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFN90N85X
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 146-4386
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041067508
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °C
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 90 A
- Diodendurchschlagsspannung
- 1.4V
- Drain-Source-Spannung max.
- 850 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 41 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3.5V
- Gate-Source Spannung max.
- ±30 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 90 A
Drain-Source-Spannung max. = 850 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 1,2 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.4V
Die Leistungs-MOSFETs 850V Ultra-Junction X-Class mit Fast-Body-Dioden ist eine neue Leistungshalbleiter-Produktlinie von IXYS Corporation. Diese robusten Geräte bieten den niedrigsten Betriebswiderstand der Branche für eine sehr hohe Leistungsdichte in Anwendungen mit Hochspannungs-Leistungsumwandlung. Die neuen 850V-Geräte wurden unter Verwendung des Ladungskompensationsprinzips und proprietärer Prozesstechnologie entwickelt und weisen die niedrigsten Betriebswiderstände (z. B. 33 Milliohm im SOT-227-Gehäuse und 41 Milliohm beim PLUS264) sowie geringe Gate Aufladungen und überlegene dv/dt-Leistung auf.Extrem niedriger Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg Fast-Body-Diode dv/dt Robustheit Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Gehäuseinduktivität Gehäuse nach internationaler Norm