IXYS HiperFET IXFP80N25X3 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-220

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 390 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Serie = HiperFET

Niedrigster Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg Diode mit Gehäuse mit kurzer, weicher Erholzeit dv/dt Robustheit Überlegene Durchbruchfähigkeit Gehäuse nach internationaler Norm Akkuladegeräte für leichte Elektrofahrzeuge Synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen Motorsteuerung DC/DC-Konverter Unterbrechungsfreie Stromversorgungen Elektrisch betriebene Gabelstapler Audioverstärker der Klasse D Telekommunikationssysteme Hohe Effizienz Hohe Leistungsdichte Erhöhte Systemzuverlässigkeit Einfache Integration200 MHz/330 DMI/s, MIPS32 microAptiv-Kern Dual Panel Flash für Live-Update-Unterstützung 12 bit, 18 Mbit/s, 45-Kanal-ADC-Modul Speicherverwaltungseinheit für optimale Ausführung des eingebetteten OS microMIPS-Modus für bis zu 35 % Code-Kompression CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI- & analoge Komparatoren SPI/I2S-Schnittstellen für Audioverarbeitung und -wiedergabe Hi-Speed USB-Gerät/Host/OTG 10/100 Mbit/s Ethernet MAC mit MII- und RMII-Schnittstelle Erweiterter Speicherschutz 2 MB Flash-Speicher (plus zusätzliche 160 KB Boot-Flash ) 640 KB SRAM-Speicher