IXYS HiperFET, Polar IXFH24N80P N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 24 A 650 W, 3-Pin TO-247AD
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFH24N80P
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 194-079P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041980913
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 24 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 800 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 400 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 105 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-247AD
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-247AD
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 650 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 105 nC @ 10 V
Serie = HiperFET, Polar
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS