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IXYS HiperFET, Polar IXFH88N30P N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 88 A 600 W, 3-Pin TO-247

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFH88N30P

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
193-559P
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059041980876

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
88 A
Drain-Source-Spannung max.
300 V
Drain-Source-Widerstand max.
40 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
180 nC @ 10 V
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 88 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 600 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 180 nC @ 10 V
Serie = HiperFET, Polar

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS